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具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
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具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
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一种基于SOI的光子晶体分束器及制法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  余和军;  余金中;  陈少武
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun JY (Sun Jiayin);  Chen J (Chen Jing);  Wang X (Wang Xi);  Wang JF (Wang Jianfeng);  Liu W (Liu Wei);  Zhu JJ (Zhu Jianjun);  Yang H (Yang Hui);  Sun, JY, No 865,Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiayinsun@mail.sim.ac.cn
Adobe PDF(176Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1146/316  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun J;  Chen J;  Wang X;  Wang J;  Liu W;  Zhu J;  Yang H;  Sun, J, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai 200050, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiayinsun@mail.sim.ac.cn
Adobe PDF(281Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1051/343  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang HX (Tang Hai-Xia);  Zuo YH (Zuo Yu-Hua);  Yu JZ (Yu Jin-Zhong);  Wang QM (Wang Qi-Ming);  Tang, HX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: thx@mail.semi.ac.cn
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SOI 亚微米光波导及电光开关的设计与制作 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  李智勇
Adobe PDF(4492Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1009/50  |  提交时间：2009/04/13
全耗尽SOI MOSFET的制作及其辐射加固的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  王宁娟
Adobe PDF(2368Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：996/10  |  提交时间：2009/04/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li ZY;  Yu JZ;  Chen SW;  Liu JW;  Xia JS;  Li, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lizhy@semi.ac.cn
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SOI光开关阵列控制驱动电路及光电集成技术 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  李运涛
Adobe PDF(2998Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：931/41  |  提交时间：2009/04/13