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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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文献类型
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发表日期
2006 [118]
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发表日期:2006
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期刊论文
作者:
Jin P (Jin Peng)
;
Pan SH (Pan S. H.)
;
Li YG (Li Y. G.)
;
Zhang CZ (Zhang C. Z.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
;
Jin, P, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: pengjin@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1203/365
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ma RM (Ma R. M.)
;
Dai L (Dai L.)
;
Huo HB (Huo H. B.)
;
Yang WQ (Yang W. Q.)
;
Qin GG (Qin G. G.)
;
Tan PH (Tan P. H.)
;
Huang CH (Huang C. H.)
;
Zheng J (Zheng J.)
;
Dai, L, Peking Univ, Sch Phys, Beijing 100871, Peoples R China. E-mail: lundai@pku.edu.cn
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浏览/下载:1373/522
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gu JH (Gu Jinhua)
;
Zhu MF (Zhu Meifang)
;
Wang LJ (Wang Liujiu)
;
Liu FZ (Liu Fengzhen)
;
Zhou BQ (Zhou Bingqing)
;
Ding K (Ding Kun)
;
Li GH (Li Guohua)
;
Zhu, MF, Chinese Acad Sci, Grad Sch, Coll Phys Sci, POB 4588, Beijing 100049, Peoples R China. E-mail: mfzhu@gucas.ac.cn
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浏览/下载:1040/332
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提交时间:2010/04/11
Silicon thin films prepared in the transition region and their use in solar cells
会议论文
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, Bangkok, THAILAND, JAN 27-FEB 01, 2004
作者:
Zhang S
;
Liao X
;
Raniero L
;
Fortunato E
;
Xu Y
;
Kong G
;
Aguas H
;
Ferreira I
;
Martins R
;
Zhang, S, New Univ Lisbon, Fac Sci & Technol, CENIMAT, Dept Mat Sci, P-2829516 Caparica, Portugal. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
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浏览/下载:1742/301
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提交时间:2010/03/29
Silicon
High quality microcrystalline Si films by hydrogen dilution profile
会议论文
THIN SOLID FILMS, BRATISLAVA, SLOVAKIA, SEP 15-20, 2002
作者:
Gu, JH (Gu, Jinhua)
;
Zhu, MF (Zhu, Meifang)
;
Wang, LJ (Wang, Liujiu)
;
Liu, FZ (Liu, Fengzhen)
;
Zhou, BQ (Zhou, Bingqing)
;
Ding, K (Ding, Kun)
;
Li, GH (Li, Guohua)
;
Zhu, MF, Chinese Acad Sci, Grad Sch, Coll Phys Sci, POB 4588, Beijing 100049, Peoples R China. 电子邮箱地址: mfzhu@gucas.ac.cn
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浏览/下载:1280/240
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提交时间:2010/03/29
Microcrystalline Si Thin Film
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cui LJ (Cui L. J.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Wang BQ (Wang B. Q.)
;
Zhu ZP (Zhu Z. P.)
;
Guo SL (Guo S. L.)
;
Chu JH (Chu J. H.)
;
Cui, LJ, Chinese Acad Sci, Novel Mat Lab, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ljcui@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1028/276
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提交时间:2010/04/11
Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2005丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Pittsburgh, PA, SEP 18-23, 2005
作者:
Sun, GS (Sun, Guosheng)
;
Ning, J (Ning, Jin)
;
Gong, QC (Gong, Quancheng)
;
Gao, X (Gao, Xin)
;
Wang, L (Wang, Lei)
;
Liu, XF (Liu, Xingfang)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1449/203
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提交时间:2010/03/29
Homoepitaxial Growth
Low-pressure Hot-wall Cvd
Structural And Optical Characteristics
Intentional Doping
Schottky Barrier Diodes
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu Y (Xu Ying)
;
Hu ZH (Hu Zhihua)
;
Diao HW (Diao Hongwei)
;
Cai Y (Cai Yi)
;
Zhang SB (Zhang Shibin)
;
Zeng XB (Zeng Xiangbo)
;
Hao HY (Hao Huiying)
;
Liao XB (Liao Xianbo)
;
Fortunato E (Fortunato Elvira)
;
Martins R (Martins Rodrigo)
;
Hu, ZH, New Univ Lisbon, Dept Mat Sci, Monte Caparica, P-2829516 Caparica, Almada, Portugal. E-mail: zhu@uninova.pt
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浏览/下载:1220/318
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang S (Zhang S.)
;
Liao X (Liao X.)
;
Raniero L (Raniero L.)
;
Fortunato E (Fortunato E.)
;
Xu Y (Xu Y.)
;
Kong G (Kong G.)
;
Aguas H (Aguas H.)
;
Ferreira I (Ferreira I.)
;
Martins R (Martins R.)
;
Zhang, S, New Univ Lisbon, Fac Sci & Technol, CENIMAT, Dept Mat Sci, P-2829516 Caparica, Portugal. E-mail: sz@uninova.pt
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浏览/下载:1036/233
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
;
Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgzhao@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11