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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [1]
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专利 [1]
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2005 [1]
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发表日期：2005
文献类型：专利
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水平式离子注入碳化硅高温退火装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
孙国胜
;
王雷
;
赵万顺
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提交时间：2009/06/11
