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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Zhang BS;  Wu M;  Li DB;  Zhang JC;  Jin RQ;  Zhu JJ;  Chen J;  Wang JF;  Wang YT;  Yang H;  Liu, JP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu Y;  Liu XL;  Wang XH;  Lu DC;  Li DB;  Han XX;  Cong GW;  Wang ZG;  Lu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yuanlu@red.semi.ac.cn
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(In,Al)GaN 材料的MOCVD 生长及其物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  黎大兵
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘祥林;  董逊;  黎大兵
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