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(In,Al)GaN 材料的MOCVD 生长及其物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  黎大兵
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘祥林;  董逊;  黎大兵
Adobe PDF(215Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：717/258  |  提交时间：2010/11/23