×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [4]
作者
文献类型
会议论文 [4]
发表日期
2004 [1]
2001 [2]
1998 [1]
语种
英语 [4]
出处
DEFECT REC... [1]
FIRST INTE... [1]
PHYSICA ST... [1]
POSITRON A... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [4]
资助机构
Commemorat... [1]
Deutsch Fo... [1]
European S... [1]
Hokkaido U... [1]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
收录类别:CPCI\-S
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
Defects in GaSb studied by coincidence Doppler broadening measurements
会议论文
POSITRON ANNIHILATION, ICPA-13, PROCEEDINGS, 445-6, Kyoto, JAPAN, SEP 07-12, 2003
作者:
Hu WG
;
Wang Z
;
Dai YQ
;
Wang SJ
;
Zhao YW
;
Hu WG Wuhan Univ Dept Phys Wuhan 430072 Peoples R China. 电子邮箱地址: wangz@whu.edu.cn
Adobe PDF(210Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1447/262
  |  
提交时间:2010/10/29
Coincidence Doppler Broadening
Defects
Gasb
Positron Annihilation
Thermodynamic analysis of GaSb-GaCl3 vapor phase epitaxy
会议论文
FIRST INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON MICROGRAVITY RESEARCH & APPLICATIONS IN PHYSICAL SCIENCES AND BIOTECHNOLOGY, VOLS I AND II, PROCEEDINGS, 454, SORRENTO, ITALY, SEP 10-15, 2000
作者:
Lu DC
;
Lin LY
;
Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(224Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1131/164
  |  
提交时间:2010/10/29
Transport
Type I-type II transition of self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 223 (1), SAPPORO, JAPAN, SEP 24-28, 2000
作者:
Li GH
;
Chen Y
;
Fung ZL
;
Ding K
;
Han HX
;
Zhou W
;
Wang ZG
;
Li GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(165Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1384/322
  |  
提交时间:2010/11/15
Hydrostatic-pressure
Photoluminescence
Gaas
Luminescence
Growth
Insb
Gasb
Characterization of GaSb substrate wafers for MOCVD III-V antimonides
会议论文
DEFECT RECOGNITION AND IMAGE PROCESSING IN SEMICONDUCTORS 1997, 160, TEMPLIN, GERMANY, SEP 07-10, 1997
作者:
Peng RW
;
Ding YQ
;
Xu CM
;
Wang XG
;
Peng RW Acad Sinica Shanghai Inst Met Shanghai 200050 Peoples R China.
Adobe PDF(240Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1288/185
  |  
提交时间:2010/11/15
Vapor-phase Epitaxy
Growth