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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [8]
作者
金鹏 [1]
叶小玲 [1]
于丽娟 [1]
徐波 [1]
李成明 [1]
文献类型
会议论文 [8]
发表日期
2003 [8]
语种
英语 [8]
出处
QUANTUM CO... [3]
2003 IEEE ... [1]
GAN AND RE... [1]
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MICROELECT... [1]
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收录类别:CPCI\-S
发表日期:2003
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2 x 2 electrooptical switch in silicon-on-insulator waveguide
会议论文
2003 IEEE CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS, Kowloon, PEOPLES R CHINA, DEC 16-18, 2003
作者:
Yan QF
;
Yu JZ
;
Chen SW
;
Fan ZC
;
Xia JS
;
Liu ZL
;
Yan QF Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Devices
Low-frequency noise properties of GaN Schottky barriers deposited on intermediate temperature buffer layers
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 6 (5-6), Sendai, JAPAN, MAR 20-22, 2003
作者:
Leung BH
;
Fong WK
;
Surya C
;
Lu LW
;
Ge WK
;
Surya C Hong Kong Polytech Univ Photon Res Ctr Dept Elect & Informat Engn Hong Kong Hong Kong Peoples R China. 电子邮箱地址: ensurya@polyu.edu.hk
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浏览/下载:1410/281
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提交时间:2010/10/29
Gan
Low-frequency Noise
Deep Levels
Deep Level Transient Fourier Spectroscopy
Devices
High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE
会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS-2002, 743, BOSTON, MA, DEC 02-06, 2002
作者:
Wang JX
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hu GX
;
Liu HX
;
Lin LY
;
Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Ion-scattering Spectroscopy
Lattice Polarity
Single-crystals
Films
Polarization
Gan(0001)
Surfaces
Growth
Diodes
Microstructure of the silicon film prepared near the phase transition regime from amorphous to nanocrystalline
会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:
Zhang SB
;
Liao XB
;
Xu YY
;
Hu ZH
;
Zeng XB
;
Diao HW
;
Luo MC
;
Kong G
;
Zhang SB Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Condensed State Phys State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Polymorphous Silicon
Light-scattering
Thin-films
Si
Microcrystallinity
Absorption
States
Influence of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer on the active region of quantum dot superluminescent diodes
会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:
Zhang ZY
;
Li CM
;
Jin P
;
Meng XQ
;
Xu B
;
Ye XL
;
Wang ZG
;
Zhang ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Spectrum
Polymorphous silicon nanowires synthesized by plasma-enhanced chemical vapor deposition
会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:
Zeng XB
;
Liao XB
;
Diao HW
;
Hu ZH
;
Xu YY
;
Zhang SB
;
Chen CY
;
Chen WD
;
Kong GL
;
Zeng XB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1504/333
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提交时间:2010/10/29
Laser-ablation
Semiconductor Nanowires
Growth
Mechanism
Evaporation
Diameter
Wires
Fabrication of semiconductor optical amplifiers and a novel gain measuring technique
会议论文
PROCEEDINGS OF THE SIXTH CHINESE OPTOELECTRONICS SYMPOSIUM, KOWLOON, PEOPLES R CHINA, SEP 12-14, 2003
作者:
Huang YZ
;
Guo WH
;
Yu LJ
;
Lu XL
;
Tan MQ
;
Ma XY
;
Huang YZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Spectra
Lasers
Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient
会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Wang QY
;
Wang JH
;
Deng HF
;
Lin LY
;
Wang QY Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Sci Ctr Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Neutron Irradiation
Annealing
Defects In Silicon
Spectra