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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [6]
作者
潘教青 [2]
于丽娟 [1]
文献类型
会议论文 [6]
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2008 [1]
2007 [1]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Characteristics of triangle and square InP/InGaAsP microlasers
会议论文
ICTON 2008: PROCEEDINGS OF 2008 10TH ANNIVERSARY INTERNATIONAL CONFERENCE ON TRANSPARENT OPTICAL NETWORKS, Athens, GREECE, JUN 22-26, 2008
作者:
Huang YZ
;
Wang SJ
;
Che KJ
;
Hu YH
;
Du Y
;
Yu LJ
;
Huang, YZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Semiconductor Lasers
Design and performance of monolithic integrated electro-absorption modulated distributed feedback laser - art. no. 67820Y
会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES II, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 02-05, 2007
作者:
Cheng YB
;
Pan JQ
;
Zhou F
;
Wang BJ
;
Zhu HL
;
Zhao LJ
;
Wang W
;
Cheng, YB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Butt Joint
Narrow stripe selective growth of InGaAlAs waveguides used for buried heterostructure lasers - art. no. 63210I
会议论文
Nanophotonic Materials III丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), San Diego, CA, AUG 13-14, 2006
作者:
Feng W
;
Pan JQ
;
Zhou F
;
Wang LF
;
Bian J
;
Wang BJ
;
An X
;
Zhao LJ
;
Zhu HL
;
Wang W
;
Feng, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Inp
Hydrogenated p-type nanocrystalline silicon in amorphous silicon solar cells
会议论文
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, Lisbon, PORTUGAL, SEP 04-09, 2005
作者:
Hu ZH (Hu Zhihua)
;
Liao XB (Liao Xianbo)
;
Diao HW (Diao Hongwei)
;
Cai Y (Cai Yi)
;
Zhang SB (Zhang Shibin)
;
Fortunato E (Fortunato Elvira)
;
Martins R (Martins Rodrigo)
;
Hu, ZH, New Univ Lisbon, Dept Mat Sci, P-2829516 Caparica, Portugal. 电子邮箱地址: zhu@uninova.pt
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提交时间:2010/03/29
Silicon
Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Singapore, SINGAPORE, JUL 03-08, 2005
作者:
Jiang, DS
;
Qu, YH
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
Xu, YQ
;
Niu, ZC
;
Jiang, DS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Molecular Beam Epitaxy
Fabrication of low cost Si-based tunable high performance resonant cavity enhanced photodetectors
会议论文
2004 IST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS, Hong Kong, PEOPLES R CHINA, SEP 29-OCT 01, 2004
作者:
Mao RW
;
Li CB
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Teng XG
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Mao, RW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Joint Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Quantum-efficiency