SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共4条,第1-4条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102244159A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑怀文;  张逸韵;  吴奎;  杨华;  李璟
Adobe PDF(327Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1467/231  |  提交时间:2012/09/09
一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李志聪;  姚然;  王兵;  梁萌;  李璟;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(992Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1950/302  |  提交时间:2012/09/09
一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李志聪;  姚然;  王兵;  梁萌;  李鸿渐;  李盼盼;  李璟;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(1092Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1615/306  |  提交时间:2012/09/09
具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李璟;  王国宏;  魏同波;  张杨;  孔庆峰
Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1930/350  |  提交时间:2012/09/09