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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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半导体超晶格国家重... [23]
作者
张新惠 [2]
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专题:半导体超晶格国家重点实验室
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期刊论文
作者:
S F Li
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K K Meng
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C Y Cheng
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J H Zh
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T S Lai
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提交时间:2019/11/18
新型二维半导体的可控制制备与光电器件研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者:
黎永涛
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浏览/下载:1140/48
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提交时间:2016/11/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fan, C
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Li, T
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Wei, ZM
;
Huo, NJ
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Lu, FY
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Yang, JH
;
Li, RX
;
Yang, SX
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Li, B
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Hu, WP
;
Li, JB
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提交时间:2015/03/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li, X
;
Wei, XL
;
Xu, TT
;
Ning, ZY
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Shu, JP
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Wang, XY
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Pan, D
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Zhao, JH
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Yang, T
;
Chen, Q
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提交时间:2015/03/25
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li W, Wang X, Liu B, Xu J, Liang B, Luo T, Luo S, Chen D, Shen G
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提交时间:2014/03/26
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期刊论文
作者:
Li, Yuanyuan
;
Cao, Y. F.
;
Wei, G. N.
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Li, Yanyong
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Ji, Y.
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Wang, K. Y.
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Edmonds, K. W.
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Campion, R. P.
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Rushforth, A. W.
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Foxon, C. T.
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Gallagher, B. L.
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提交时间:2014/03/26
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yan-Yang Zhang, Wei-Feng Tsai, Kai Chang, X. -T. An, G. -P. Zhang, X. -C. Xie, Shu-Shen Li
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提交时间:2014/03/26
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li WL
;
Jia R
;
Chen C
;
Li HF
;
Liu XY
;
Yue HH
;
Ding WC
;
Ye TC
;
Kasai S
;
Hashizume T
;
Wu NJ
;
Xu BS
;
Jia, R, Chinese Acad Sci, Microwave Devices & Integrated Circuits Dept, Inst Microelect, Beijing 100029, Peoples R China. jiarui@ime.ac.cn
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提交时间:2011/07/05
InAs/GaAs超薄低维结构中空穴和电子自旋弛豫特性研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
李涛
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提交时间:2010/04/28
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Huang X (Huang X.)
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Zhang XH (Zhang X. H.)
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Zhu YG (Zhu Y. G.)
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Li T (Li T.)
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Han LF (Han L. F.)
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Shang XJ (Shang X. J.)
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Ni HQ (Ni H. Q.)
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Niu ZC (Niu Z. C.)
;
Zhang, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xinhuiz@semi.ac.cn
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浏览/下载:1184/445
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提交时间:2010/08/17