已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 基于激光退火的 InGaN 基绿光 LED 效率提升研究 学位论文 工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023 作者: 王新维 Adobe PDF(12173Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:682/0  |  提交时间:2023/07/03 |
| 基于高温退火AlN模板的深紫外激光二极管MOVPE生长研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023 作者: 王大地 Adobe PDF(36422Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:176/0  |  提交时间:2024/05/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 张连; 魏学成; 路坤熠; 魏同波; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(2239Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:467/8  |  提交时间:2016/04/15 |
| 发光二极管封装结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 杨华; 卢鹏志; 谢海忠; 于飞; 郑怀文; 薛斌; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(281Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1513/231  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种氮化镓系发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010235850.1, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马平; 王军喜; 刘乃鑫; 路红喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(417Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1605/267  |  提交时间:2011/08/31 |
| 金属催化脱氢提高镁掺杂氮化物激活效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010514077.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 魏同波; 王军喜; 路红喜; 刘乃鑫; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(304Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1722/258  |  提交时间:2011/08/31 |
| 发光二极管封装结构的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102231421A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 杨华; 卢鹏志; 谢海忠; 于飞; 郑怀文; 薛斌; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(292Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1750/274  |  提交时间:2012/09/09 |