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| 一种新型键合用晶向对准装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-11-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈良惠; 郑婉华; 杨国华; 何国荣; 王玉平; 曹青; 郭良; 林学春 Adobe PDF(350Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1529/184  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种利用激光对准晶片晶向的方法及装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈良惠; 郑婉华; 杨国华; 何国荣; 王玉平; 曹青; 郭良; 林学春 Adobe PDF(425Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1282/182  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 冉军学; 李建平; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1347/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 近场光学固体浸墨透镜型微小孔径激光器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 甘巧强; 宋国峰; 石岩; 杨国华; 钟源; 高建霞; 陈良惠 Adobe PDF(690Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1295/182  |  提交时间:2009/06/11 |
| 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 王翠梅; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平 Adobe PDF(627Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1276/179  |  提交时间:2009/06/11 |
| 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 王翠梅; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(830Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1064/142  |  提交时间:2009/06/11 |
| 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王翠梅; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平 Adobe PDF(656Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1083/153  |  提交时间:2009/06/11 |
| 背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马龙; 王良臣; 王立彬; 郭金霞; 伊晓燕 Adobe PDF(550Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1168/164  |  提交时间:2009/06/11 |
| 蓝光、黄光量子阱堆叠结构白光发光二极管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郭伦春; 王晓亮; 王军喜; 肖红领; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(551Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1324/206  |  提交时间:2009/06/11 |
| 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-02-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 王翠梅; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(411Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1154/183  |  提交时间:2009/06/11 |