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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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发表日期:2004
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
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85
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95
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发表日期降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
题名升序
题名降序
作者升序
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无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
崔利杰
;
曾一平
;
王保强
;
朱战平
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浏览/下载:1363/180
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提交时间:2009/06/11
提高半导体光电转换器件性能的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李建明
;
种明
;
杨丽卿
;
徐嘉东
;
胡传贤
;
段晓峰
;
高旻
;
朱建成
;
王凤莲
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浏览/下载:1248/182
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提交时间:2009/06/11
一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-04-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张子旸
;
王占国
;
徐波
;
金鹏
;
刘峰奇
Adobe PDF(386Kb)
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浏览/下载:1123/159
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提交时间:2009/06/11
制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张志成
;
杨少延
;
黎大兵
;
陈涌海
;
朱勤生
;
王占国
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浏览/下载:1099/180
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提交时间:2009/06/11
半导体光电子器件和混合楔型波导模斑转换器集成器件
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
邱伟彬
;
王圩
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浏览/下载:1869/178
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提交时间:2009/06/11
一种制作白光发光二极管的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈振
;
韩培德
;
陆大成
;
刘祥林
;
王晓晖
;
朱勤生
;
王占国
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浏览/下载:1270/194
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提交时间:2009/06/11
同一源区半导体光放大器、电吸收调制器集成器件
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
邱伟彬
;
王圩
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浏览/下载:1142/149
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提交时间:2009/06/11
偏振不灵敏半导体光放大器、电吸收调制器两用器件
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-01-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
邱伟彬
;
王圩
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao Q
;
Li JC
;
Zhou H
;
Wang H
;
Wang B
;
Yan H
;
Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1381/439
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ai B
;
Shen H
;
Ban Q
;
Wang XJ
;
Liang ZC
;
Liao XB
;
Ai, B, Chinese Acad Sci, Solar Energy Lab, Guangzhou Inst Energy Convers, Guangzhou 510640, Peoples R China. 电子邮箱地址: aibin@ms.giec.ac.cn
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浏览/下载:1161/332
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提交时间:2010/03/09