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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li Z (Li Z.);  Li CJ (Li C. J.);  Li, Z, Brookhaven Natl Lab, Upton, NY 11973 USA. E-mail: zhengl@bnl.gov
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, DG (Zhao, D. G.);  Liu, ZS (Liu, Z. S.);  Zhu, JJ (Zhu, J. J.);  Zhang, SM (Zhang, S. M.);  Jiang, DS (Jiang, D. S.);  Yang, H (Yang, Hui);  Liang, JW (Liang, J. W.);  Li, XY (Li, X. Y.);  Gong, HM (Gong, H. M.);  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL (Wang X. L.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Li XY (Li X. Y.);  Gong HM (Gong H. M.);  Yang H (Yang H.);  Liang JW (Liang J. W.);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: WXL@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li DY (Li Deyao);  Zhang SM (Zhang Shuming);  Wang JF (Wang Jianfeng);  Chen J (Chen Jun);  Chen LH (Chen Lianghui);  Chong M (Chong Ming);  Zhu JJ (Zhu Jianjun);  Zhao DG (Zhao Degang);  Liu ZS (Liu Zongshun);  Yang H (Yang Hui);  Liang JW (Liang Junwu);  Li, DY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dyli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL (Wang X. L.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Chen J (Chen J.);  Li XY (Li X. Y.);  Gong HM (Gong H. M.);  Yang H (Yang H.);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: WXL@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW (Zhang X. W.);  Li SS (Li S. S.);  Xia JB (Xia J. B.);  Zhang, XW, China Ctr Adv Sci & Technol, World Lab, POB 8730, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: zhxw99@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YG (Wang Yonggang);  Ma XY (Ma Xiaoyu);  Wang CL (Wang Cuiluan);  Lin T (Lin Tao);  Zhen K (Zhen Kai);  Wang J (Wang Jun);  Zhong L (Zhong Li);  Jia YL (Jia YuLei);  Wei ZY (Wei ZhiYi);  Wang, YG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: chinawygxjw@163.com
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The improvement of thick oxidized porous silicon layer growth process - art. no. 60290S 会议论文
ICO20 Materials and Nanostructures丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:  Li J;  An JM;  Wang HJ;  Xia JL;  Gao DS;  Hu XW;  Li, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Porous Silicon  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang J (Wang Jun);  Ma XY (Ma Xiao-Yu);  Bai YM (Bai Yi-Ming);  Cao L (Cao Li);  Wu DJ (Wu Da-Jin);  Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgunwung@sohu.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang Y (Huang Y.);  Wang H (Wang H.);  Sun Q (Sun Q.);  Chen J (Chen J.);  Li DY (Li D. Y.);  Zhang JC (Zhang J. C.);  Wang JF (Wang J. F.);  Wang YT (Wang Y. T.);  Yang H (Yang H.);  Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangh@red.semi.ac.cn
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