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| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(255Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1910/298  |  提交时间:2011/08/31 |
| 低位错氮化镓的生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102409406A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 吴奎; 魏同波; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(258Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1274/208  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种增强LED出光效率的粗化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2117/300  |  提交时间:2011/08/31 |
| 金属催化脱氢提高镁掺杂氮化物激活效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010514077.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 魏同波; 王军喜; 路红喜; 刘乃鑫; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(304Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1728/258  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种控制半导体LED外延片内应力的装置 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07 发明人: 张宁; 魏学成; 刘桂鹏; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:877/84  |  提交时间:2014/12/25 |
| 银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01 发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏 Adobe PDF(267Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:740/73  |  提交时间:2014/10/29 |
| 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25 发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏 Adobe PDF(244Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:738/93  |  提交时间:2014/10/29 |
| 制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01 发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏 Adobe PDF(243Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:657/89  |  提交时间:2014/10/29 |
| 纳米氮化镓发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01 发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏 Adobe PDF(312Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:822/96  |  提交时间:2014/10/29 |
| 大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25 发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏 Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:729/100  |  提交时间:2014/10/29 |