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实现半导体量子阱结构带隙蓝移的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-07
发明人:  黄永光;  朱洪亮;  崔晓
Adobe PDF(566Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：733/71  |  提交时间：2014/11/17