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| 控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007 发明人: 梁凌燕; 叶小玲 ; 金 鹏; 陈涌海; 徐 波; 王占国
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| 在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998 发明人: 高福宝; 陈诺夫; 吴金良; 刘 磊
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| 单光路量子效率测试系统 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990 发明人: 刘 磊; 陈诺夫; 曾湘波; 张 汉; 吴金良; 高福宝
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| 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 伊晓燕 ; 王良臣; 王国宏; 李晋闽
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| 光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李晋闽; 王晓东; 王国宏; 王良臣; 杨富华
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| 双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郑婉华; 王科; 任刚; 杜晓宇; 邢名欣; 陈良惠
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