已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102304763A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 刘兴昉; 郑柳; 董林; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(575Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2685/485  |  提交时间:2012/08/29 |
| HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102304698A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 刘兴昉; 董林; 郑柳; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2666/513  |  提交时间:2012/08/29 |
| 碳化硅PIN微结构的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102254798A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 孙国胜; 吴海雷; 郑柳; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果 Adobe PDF(312Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2536/495  |  提交时间:2012/08/29 |
| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11 发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平 Adobe PDF(544Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1378/136  |  提交时间:2014/11/24 |
| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12 发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平 Adobe PDF(241Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1601/130  |  提交时间:2014/11/24 |
| 在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18 发明人: 郑柳; 孙国胜; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 曾一平 Adobe PDF(390Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:971/125  |  提交时间:2014/10/31 |
| 碳化硅材料腐蚀炉 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25 发明人: 董林; 孙国胜; 赵万顺; 王雷; 刘兴昉; 刘斌; 张峰; 闫果果; 郑柳; 刘胜北 Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1043/120  |  提交时间:2014/10/29 |
| 一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09 发明人: 刘兴昉; 刘斌; 董林; 郑柳; 闫果果; 张峰; 王雷; 孙国胜; 曾一平 Adobe PDF(1172Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:588/46  |  提交时间:2014/12/25 |
| 一种碳化硅薄膜生长设备 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-09 发明人: 刘兴昉; 刘斌; 董林; 郑柳; 闫果果; 张峰; 王雷; 孙国胜; 曾一平 Adobe PDF(753Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:614/70  |  提交时间:2014/12/25 |
| 一种半导体薄膜生长装置及其生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-11-13 发明人: 刘兴昉; 刘斌; 郑柳; 董林; 刘胜北; 闫果果; 孙国胜; 曾一平 Adobe PDF(796Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:829/80  |  提交时间:2014/12/25 |