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半导体材料残余应力的测试装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  赵玲慧;  曾一平;  李成基
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li DY (Li Deyao);  Zhang SM (Zhang Shuming);  Wang JF (Wang Jianfeng);  Chen J (Chen Jun);  Chen LH (Chen Lianghui);  Chong M (Chong Ming);  Zhu JJ (Zhu Jianjun);  Zhao DG (Zhao Degang);  Liu ZS (Liu Zongshun);  Yang H (Yang Hui);  Liang JW (Liang Junwu);  Li, DY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dyli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han Q (Han Q.);  Niu ZC (Niu Z. C.);  Peng LH (Peng L. H.);  Ni HQ (Ni H. Q.);  Yang XH (Yang X. H.);  Du Y (Du Y.);  Zhao H (Zhao H.);  Wu RH (Wu R. H.);  Wang QM (Wang Q. M.);  Han, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: hanqin@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li DY (Li D. Y.);  Huang YZ (Huang Y. Z.);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Liu ZS (Liu Z. S.);  Zhang SM (Zhang S. M.);  Ye XJ (Ye X. J.);  Chong M (Chong M.);  Chen LH (Chen L. H.);  Yang H (Yang H.);  Liang JW (Liang J. W.);  Li, DY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect & Nanooptoelec, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dyli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘丽辉;  陈少华;  赵启大;  刘育梁;  李芳
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