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2-2.3 微米InAs 量子阱激光器的材料生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  汪明
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在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208756A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  汪明;  杨涛
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