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| 异质衬底多晶硅籽晶层制备及关键问题研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2011 作者: 黄添懋 Adobe PDF(6991Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1087/23  |  提交时间:2011/06/02 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Bai YM; Zhang H; Wang J; Chen NF; Yao JX; Huang TM; Zhang XW; Yin ZG; Fu Z; Bai, YM, N China. Elect Power Univ, Beijing Key Lab New & Renewable Energy, Beijing 102206, Peoples R China. ymbai@semi.ac.cn Adobe PDF(342Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1139/342  |  提交时间:2011/07/05 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Huang TM (Huang TianMao); Chen NF (Chen NuoFu); Zhang XW (Zhang XingWang); Bai YM (BaiYiMing); Yin ZG (Yin ZhiGang); Shi HW (Shi HuiWei); Zhang H (Zhang Han); Wang Y (Wang Yu); Wang YS (Wang YanShuo); Yang XL (Yang XiaoLi); Huang, TM, Chinese AcadSci, InstSemicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tmhuang@semi.ac.cn Adobe PDF(671Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1272/350  |  提交时间:2010/11/14 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wang YS (Wang YanShuo); Chen NF (Chen NuoFu); Zhang XW (Zhang XingWang); Bai; YM (Bai YiMing); Wang Y (Wang Yu); Huang TM (Huang TianMao); Zhang H (Zhang Han); Shi HW (Shi HuiWei); Wang, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yswang@semi.ac.cn; nfchen@semi.ac.cn Adobe PDF(687Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1156/258  |  提交时间:2010/05/24 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang H (Zhang Han); Chen NF (Chen NuoFu); Wang Y (Wang Yu); Zhang XW (Zhang XingWang); Yin ZG (Yin ZhiGang); Shi HW (Shi HuiWei); Wang YS (Wang YanSuo); Huang TM (Huang TianMao); Bai YM (Bai YiMing); Fu Z (Fu Zhen) Adobe PDF(583Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1143/282  |  提交时间:2010/09/07 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 黄添懋; 陈诺夫; 张兴旺; 白一鸣; 尹志岗; 施辉伟; 张汉; 汪宇; 王彦硕; 杨晓丽 Adobe PDF(1081Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1416/339  |  提交时间:2011/08/16 |
| 单片集成的微型太阳电池阵列及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910078559.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王彦硕; 陈诺夫; 白一鸣; 黄添懋; 陈晓峰; 张汉 Adobe PDF(470Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1539/240  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910242346.1, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 施辉伟; 陈诺夫; 黄添懋; 尹志岗; 吴金良; 张汉 Adobe PDF(244Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1442/204  |  提交时间:2011/08/31 |
| 在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 黄添懋; 陈诺夫; 施辉伟; 尹志岗; 吴金良; 王彦硕; 汪宇; 张汉 Adobe PDF(242Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1750/254  |  提交时间:2011/08/31 |