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| 一种采用CMOS工艺制作的差分硅光电探测器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998 发明人: 陈弘达; 黄北举; 张 旭 Adobe PDF(616Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1419/222  |  提交时间:2010/03/19 |
| SOI衬底CMOS工艺电光调制器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998 发明人: 陈弘达; 黄北举; 董 赞 Adobe PDF(423Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1183/199  |  提交时间:2010/03/19 |
| 双电容金属氧化物半导体硅基高速高调制效率电光调制器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈弘达; 黄北举; 刘海军; 顾明 Adobe PDF(634Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1283/151  |  提交时间:2009/06/11 |
| 三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈弘达; 黄北举; 刘金彬; 顾明; 刘海军 Adobe PDF(577Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1386/220  |  提交时间:2009/06/11 |
| CMOS硅发光二极管驱动电路 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈弘达; 刘海军; 黄北举 Adobe PDF(436Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1164/151  |  提交时间:2009/06/11 |
| 采用标准CMOS工艺制作的叉指型结构硅发光二极管 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈弘达; 刘海军; 黄北举 Adobe PDF(500Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1334/167  |  提交时间:2009/06/11 |
| 多层金属间氧化物脊形波导结构及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈弘达; 黄北举; 顾明; 刘海军 Adobe PDF(941Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1096/120  |  提交时间:2009/06/11 |
| 采用T型电容网络反馈结构的CMOS生理信号放大器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 陈弘达; 张旭; 裴为华; 黄北举 Adobe PDF(387Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1515/273  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种基于一维光栅的表面入射石墨烯光电探测器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21 发明人: 黄北举; 程传同; 张赞; 张赞允; 陈弘达 Adobe PDF(974Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1054/72  |  提交时间:2014/11/24 |
| 采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-30 发明人: 黄北举; 张赞; 张赞允; 程传同; 毛旭瑞; 陈弘达 Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1024/114  |  提交时间:2014/12/25 |