A standard CMOS compatible monolithic photo-detector and trans-impedance amplifier
Chen HD (Chen Hongda); Gu M (Gu Ming); Huang JL (Huang Jiale); Gao P (Gao Peng); Mao LH (Mao Luhong); Chen, HD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
2005
会议名称IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits
会议录名称2005 IEEE CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS丛书标题: IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits
页码PROCEEDINGS: 721-724
会议日期DEC 19-21, 2005
会议地点Kowloon, PEOPLES R CHINA
出版地345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA
出版者IEEE
ISBN978-0-7803-9339-4
部门归属chinese acad sci, inst semicond, state key lab integrated optoelect, beijing 100083, peoples r china
摘要A 1GHz monolithic photo-detector (PD) and trans-impedance amplifier (TIA) is designed with the standard 0.35 mu m CMOS technique. The design of the photo-detector is analyzed and the CMOS trans-impedance amplifier is also analyzed in the paper. The integrating method is described too. The die photograph is also showed in the paper.
学科领域光电子学
主办者IEEE Electron Devices Soc.; IEEE Solid State Circuits Soc.; IEEE Hong Kong Sect.; KC Wong Educ Fdn.; Solomon Systech Ltd.
收录类别其他
语种英语
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9866
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
通讯作者Chen, HD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
推荐引用方式
GB/T 7714
Chen HD ,Gu M ,Huang JL ,et al. A standard CMOS compatible monolithic photo-detector and trans-impedance amplifier[C]. 345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA:IEEE,2005:PROCEEDINGS: 721-724.
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