Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| InP基平面型背入射雪崩光电二极管及其制造方法 | |
| 吴孟 | |
| 2009-10-07 | |
| 专利权人 | 中科院半导体研究所 |
| 公开日期 | 4009 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 申请日期 | 2008-04-02 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN200810103224 |
| 专利代理人 | 汤宝平 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9048 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴孟. InP基平面型背入射雪崩光电二极管及其制造方法[P]. 2009-10-07. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 3459.pdf（597KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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