SEMI OpenIR  > 固态光电信息技术实验室
横向电子注入的AlGaN基深紫外LED研究
高幸发
学位类型博士
2023-06-01
学位授予单位中国科学院大学
学位授予地点中国科学院半导体研究所
学位名称工学博士
语种中文
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/31673
专题固态光电信息技术实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
高幸发. 横向电子注入的AlGaN基深紫外LED研究[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学,2023.
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GK2023098-博士-固态光电-高幸(6303KB)学位论文 限制开放CC BY-NC-SA请求全文
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