| p-GaN增强型HEMT栅极新结构的研究 | |
| 杨军 | |
| Subtype | 硕士 |
| 2023-06-26 | |
| Degree Grantor | 中国科学院大学 |
| Place of Conferral | 中国科学院半导体研究所 |
| Degree Name | 电子信息硕士 |
| Language | 中文 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/31666 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 杨军. p-GaN增强型HEMT栅极新结构的研究[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学,2023. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| GK2023117-硕士-集成中心-杨军（137988KB） | 学位论文 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | Application Full Text | ||
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