| P型GaN材料生长及性能表征 | |
| liushuangtao | |
| 学位类型 | 硕士 |
| 导师 | 赵德刚 |
| 2017-05-25 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 电子与通信工程 |
| 关键词 | Mocvd P-gan 退火 Mg受主激活 |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2017-06-02 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28181 |
| 专题 | 光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | liushuangtao. P型GaN材料生长及性能表征[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2017. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 刘双韬毕业论文2017.pdf（2557KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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