单片集成式多波长偏振复用/解复用器
刘松涛; 韩良顺; 张瑞康; 陆丹; 吉晨
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-29
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2015-05-25
申请号CN201510270790.X
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27647
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
刘松涛,韩良顺,张瑞康,等. 单片集成式多波长偏振复用/解复用器.
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