红外光电探测器及其制造方法
任飞; 刘舒曼; 王风娇; 翟胜强; 梁平; 刘峰奇; 王占国
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-29
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2015-06-03
申请号CN201510300412.1
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27641
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
任飞,刘舒曼,王风娇,等. 红外光电探测器及其制造方法.
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