| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 | |
| 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体所 |
| 公开日期 | 2016-09-28 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 申请日期 | 2015-01-06 |
| 申请号 | CN201510004119.0 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27625 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓亮,李巍,李百泉,等. 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结（420KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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