SEMI OpenIR  > 固态光电信息技术实验室
基于铌酸锂调制器偏振特性的高稳定倍频光电振荡器
郑建宇; 刘建国; 祝宁华; 孙文惠
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-28 ; 2016-09-28
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2015-01-22
申请号CN201510032842.X
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27602
专题固态光电信息技术实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
郑建宇,刘建国,祝宁华,等. 基于铌酸锂调制器偏振特性的高稳定倍频光电振荡器.
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基于铌酸锂调制器偏振特性的高稳定倍频光电(276KB) 限制开放使用许可请求全文
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