| 一种高响应度雪崩光电二极管制备方法 | |
| 陈良惠; 李慧梅; 李晓敏; 李健; 于海龙; 宋国峰; 徐云 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体所 |
| 公开日期 | 2016-09-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 申请日期 | 2015-08-31 |
| 申请号 | CN201510547504.X |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27430 |
| 专题 | 纳米光电子实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈良惠,李慧梅,李晓敏,等. 一种高响应度雪崩光电二极管制备方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 一种高响应度雪崩光电二极管制备方法.pd（861KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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