SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
半导体器件、透明金属网状电极及其制作方法
张硕; 段瑞飞; 何志; 魏同波; 张勇辉; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-02
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2014-07-28
申请号CN201410363985.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27344
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
张硕,段瑞飞,何志,等. 半导体器件、透明金属网状电极及其制作方法.
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半导体器件、透明金属网状电极及其制作方法(389KB) 限制开放使用许可请求全文
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