Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 一种雪崩光电二极管及其制作方法 | |
| 向伟; 王国伟; 徐应强; 郝宏玥; 蒋洞微; 任正伟; 贺振宏; 牛智川 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体所 |
| 公开日期 | 2016-08-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体物理 |
| 申请日期 | 2014-12-24 |
| 申请号 | CN201410818494.4 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27275 |
| 专题 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 向伟,王国伟,徐应强,等. 一种雪崩光电二极管及其制作方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 一种雪崩光电二极管及其制作方法.pdf（574KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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