| 脉冲激光退火制备Ni/SiC欧姆接触 | |
| 刘敏 | |
| 学位类型 | 硕士 |
| 导师 | 杨富华 |
| 2016-05-22 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 电子与通信工程 |
| 关键词 | 脉冲激光退火 Sic欧姆接触 数值模拟 接触特性 |
| 学科领域 | 半导体物理 ; 半导体材料 |
| 公开日期 | 2016-05-26 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27055 |
| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘敏. 脉冲激光退火制备Ni/SiC欧姆接触[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2016. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 脉冲激光制备SiC欧姆接触.pdf（2348KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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