SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
具备背电极局域随机点接触太阳电池及制备方法
梁鹏; 韩培德; 范玉洁; 邢宇鹏
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-07-02
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2014-03-25
申请号CN201410112187.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25737
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
梁鹏,韩培德,范玉洁,等. 具备背电极局域随机点接触太阳电池及制备方法.
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