SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
基于交错时序检测相消机制的阵列式电容传感器接口电路
张旭; 胡晓晖; 刘鸣; 陈弘达
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-06-25
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2014-04-03
申请号CN201410132968.X
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25729
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
张旭,胡晓晖,刘鸣,等. 基于交错时序检测相消机制的阵列式电容传感器接口电路.
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基于交错时序检测相消机制的阵列式电容传感(623KB) 限制开放使用许可请求全文
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