SEMI OpenIR  > 纳米光电子实验室
具有宽度周期性渐变表面的全息光栅制备方法
宋国峰; 王立娜; 胡海峰; 张晶; 徐云; 刘运涛
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-07-31
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2013-04-19
申请号CN201310136826.6
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25655
专题纳米光电子实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
宋国峰,王立娜,胡海峰,等. 具有宽度周期性渐变表面的全息光栅制备方法.
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具有宽度周期性渐变表面的全息光栅制备方法(768KB) 限制开放使用许可请求全文
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