SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
一种实现高亮度水平远场单瓣分布的光子晶体激光器阵列
祝宁华; 孙文惠; 郑建宇; 刘建国
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-10-19 ; 2013-10-19 ; 2013-10-19 ; 2013-10-19 ; 2013-10-19
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2013-06-19
申请号CN201310242803.3
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25573
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
祝宁华,孙文惠,郑建宇,等. 一种实现高亮度水平远场单瓣分布的光子晶体激光器阵列.
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一种实现高亮度水平远场单瓣分布的光子晶体(1583KB) 限制开放使用许可请求全文
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