一种PiNiN结构晶闸管激光器
王火雷; 丁颖; 王宝军; 边静; 王圩; 潘教青
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-03-19
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2013-12-19
申请号CN201310706406.7
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25460
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
王火雷,丁颖,王宝军,等. 一种PiNiN结构晶闸管激光器.
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