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高速CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法 | |
曹中祥; 吴南健; 周杨帆; 李全良; 秦琦 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2012-07-04 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 半导体物理 |
Application Date | 2012-01-17 |
Application Number | CN201210015129.0 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25392 |
Collection | 半导体超晶格国家重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 曹中祥,吴南健,周杨帆,等. 高速CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法. |
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高速CMOS图像传感器的像素单元及其制作(996KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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