SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
GaAs半导体材料刻蚀液的配方
李炎勇; 王开友
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-08-08
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体物理
申请日期2012-03-23
申请号CN201210079731.0
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25375
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
李炎勇,王开友. GaAs半导体材料刻蚀液的配方.
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GaAs半导体材料刻蚀液的配方.pdf(1500KB) 限制开放使用许可请求全文
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