制作倒装高电压交直流发光二极管的方法 | |
田婷; 詹腾; 张逸韵; 郭金霞; 李璟; 伊晓燕; 刘志强; 王国宏 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2013-01-30 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
学科领域 | 半导体器件 |
申请日期 | 2012-10-22 |
申请号 | CN201210405495.7 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25324 |
专题 | 中科院半导体照明研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 田婷,詹腾,张逸韵,等. 制作倒装高电压交直流发光二极管的方法. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
制作倒装高电压交直流发光二极管的方法.p(448KB) | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 |
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