采用压电材料制备的阵列结构微机电谐振器 | |
康中波; 司朝伟; 宁瑾; 韩国威 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2013-04-03 ; 2013-04-03 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
学科领域 | 微电子学 |
申请日期 | 2012-12-13 |
申请号 | CN201210539946.6 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25192 |
专题 | 半导体集成技术工程研究中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 康中波,司朝伟,宁瑾,等. 采用压电材料制备的阵列结构微机电谐振器. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
采用压电材料制备的阵列结构微机电谐振器.(456KB) | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 |
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