| Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法; Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法 |
| 赵婧; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种Fe掺杂CuO纳米稀磁半导体材料的制备方法,包括如下步骤：步骤1：将CuSO4和FeSO4分别按比例混合后,再与过量的NaOH充分混合,形成混合物；步骤2：将混合物在玛瑙研钵中进行研磨,使混合物充分接触并发生化学反应,不断研磨直至反应体系的颜色完全转变为黑色,固相反应不再进行,形成反应产物；步骤3：将得到的反应产物用去离子水多次清洗,过滤出不溶于水的反应产物；步骤4：将过滤出的不溶于水的反应产物在干燥箱中烘干后研磨,得到前驱体粉末；步骤5：将前驱体粉末置于石英舟中,放入管式反应炉的中部,在Ar气氛下退火,得到黑色的纳米粉末,完成Fe掺杂CuO纳米稀磁半导体材料的制备。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN102351236A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110185833.6
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23503
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
赵婧,刘喆,王军喜,等. Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法, Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法. CN102351236A.
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