| 垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构; 垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构 |
| 张建心; 刘安金; 江斌; 付非亚; 渠红伟; 郑婉华
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明涉及半导体光电子器件技术领域,公开了一种垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构,该结构包括一个二维准周期光子晶体结构,该二维准周期光子晶体结构采用在垂直腔面发射激光器顶部半导体材料上刻蚀的圆形孔或椭圆形孔,且孔内填充低折射率材料。利用本发明,可以通过耦合波实现光腔之间的并行耦合,提高耦合效率,实现对远场发散角的调制。 |
| 部门归属 | 纳米光电子实验室
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| 专利号 | CN102163802A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110069582.5
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23458
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| 专题 | 纳米光电子实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张建心,刘安金,江斌,等. 垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构, 垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构. CN102163802A.
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