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多芯片混合封装的霍尔效应电流传感模块; 多芯片混合封装的霍尔效应电流传感模块 | |
陈学磊; 赵柏秦; 郑一阳 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 本发明公开了一种多芯片混合封装的霍尔效应电流传感模块,其包括:基片、霍尔芯片、控制处理芯片和多个引脚。控制处理芯片采用硅基集成电路工艺制造,实现信号处理等多种功能。霍尔芯片采用砷化镓等适于制作霍尔元件的半导体材料制造。被测电流通过其中一对引脚流经传感模块并由模块内的霍尔芯片感知其产生的磁场。通过对该磁场的测量即可获取被测电流的信息。该模块既避免了使用铁芯带来的不便,又满足了霍尔芯片与控制处理芯片对材料的不同要求。 |
metadata_83 | 科半公司 |
Patent Number | CN102253264A |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN201110096641.8 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23444 |
Collection | 科半公司 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 陈学磊,赵柏秦,郑一阳. 多芯片混合封装的霍尔效应电流传感模块, 多芯片混合封装的霍尔效应电流传感模块. CN102253264A. |
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多芯片混合封装的霍尔效应电流传感模块.p(322KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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