| 集成光波导马赫－泽德干涉型传感芯片的制作方法; 集成光波导马赫－泽德干涉型传感芯片的制作方法 |
| 姜婷; 吴远大; 王玥; 安俊明; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法,包括：取一SOI基片；在SOI基片的顶层硅上涂光刻胶,利用光刻的技术在光刻胶上形成图形；利用感应耦合等离子体刻蚀工艺,在顶层硅上刻蚀出脊形光波导结构,去掉脊形光波导结构上的光刻胶；利用等离子体增强化学气相沉淀技术,在脊形光波导结构的表面淀积一层二氧化硅层；再在二氧化硅层的表面涂光刻胶层,利用光刻的技术在光刻胶层上形成图形；利用湿法刻蚀工艺,在二氧化硅层上得到敏感窗口,形成基片；对基片进行划片、抛光处理,得到芯片单元；利用旋涂法,将二氧化锡溶胶均匀涂覆在芯片单元的表面；对涂覆有二氧化锡溶胶的芯片单元进行退火处理；在退火后的芯片单元两端用紫外固化胶粘上光纤阵列。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110155033.X
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23424
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
姜婷,吴远大,王玥,等. 集成光波导马赫－泽德干涉型传感芯片的制作方法, 集成光波导马赫－泽德干涉型传感芯片的制作方法.
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