SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
电控可调谐光子晶体波分复用器及其制作方法; 电控可调谐光子晶体波分复用器及其制作方法
许兴胜; 高永浩; 李成果
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家中国
专利类型发明
摘要 一种电控可调谐光子晶体波分复用器,包括:一薄金属透明电极层;一聚合物层,位于薄金属透明电极层的下方;一顶层硅层,该顶层硅层的上面开有光子晶体孔阵列,该顶层硅层位于聚合物层的下方;一二氧化硅层,为环状结构,位于顶层硅层下面的四周,使二氧化硅层不遮挡光子晶体孔阵列;一衬底硅层,为环状结构,位于环状二氧化硅层的下面。
部门归属集成光电子学国家重点实验室
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110406571.1
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23418
专题集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
许兴胜,高永浩,李成果. 电控可调谐光子晶体波分复用器及其制作方法, 电控可调谐光子晶体波分复用器及其制作方法.
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电控可调谐光子晶体波分复用器及其制作方法(404KB) 限制开放使用许可请求全文
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