| 可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法; 可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法 |
| 杨怀伟; 李彬; 韩勤
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法,包括：在N型InP衬底上依次生长InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP渐变层、N型InP电荷层和InP帽层；在InP帽层上生长SiO2保护层；在SiO2保护层的中间光刻出圆形窗口；通过湿法腐蚀,在圆形窗口中腐蚀InP帽层,形成圆坑；在圆形窗口周围的SiO2保护层上套刻出保护环的窗口；通过扩散工艺在保护环的窗口内；用HF溶液去除剩余的SiO2保护层；在InP帽层上重新生长SiO2层,并在圆坑的周围套刻出电极窗口；通过电子束蒸发、剥离工艺,在电极窗口上形成顶部环状电极；在环状电极上的周围及一侧制备金属电极；通过电子束蒸发,在N型InP衬底的背面形成背部电极；在圆坑内InP帽层的表面,制备SiNx增透膜,完成雪崩二极管探测器的制作。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110391274.4
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23417
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
杨怀伟,李彬,韩勤. 可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法, 可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法.
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